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IPDiA

IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
93512442H622-T1A IPDiA 0505 100 硅電容器 LoProfile SiliconCap 220nF 0505 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
93512442H622-T3A IPDiA 硅電容器 ETSC Embed'd Wirebnd Temp Silicon Cap
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：935.124.42H.622，...
點擊查看93512442S710-T1A參考圖片 93512442S710-T1A IPDiA 1208 95 硅電容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝...
點擊查看93512442S710-T3A參考圖片 93512442S710-T3A IPDiA 1208 硅電容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝...
點擊查看93512442Y733-T1A參考圖片 93512442Y733-T1A IPDiA 1616 99 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
93512442Y733-T3A IPDiA 1616 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
93512542F610-T1A IPDiA 0404 100 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
93512542F610-T3A IPDiA 0404 90 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：12 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看93512542H622-T1A參考圖片 93512542H622-T1A IPDiA 0505 100 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250...
93512542H622-T3A IPDiA 0505 100 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：12 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250...
點擊查看93512542S710-T1A參考圖片 93512542S710-T1A IPDiA 1208 75 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C，...
點擊查看93512542S710-T3A參考圖片 93512542S710-T3A IPDiA 1208 89 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：12 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C，...
點擊查看93512542Y733-T1A參考圖片 93512542Y733-T1A IPDiA 1616 100 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看93512542Y733-T3A參考圖片 93512542Y733-T3A IPDiA 1616 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看935131423510-T1N參考圖片 935131423510-T1N IPDiA 0201 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
點擊查看935131423510-T3N參考圖片 935131423510-T3N IPDiA 0201 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424310-T1N參考圖片 935131424310-T1N IPDiA 0402 200 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424310-T3A參考圖片 935131424310-T3A IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424310-T3N參考圖片 935131424310-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424347-T1N參考圖片 935131424347-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...

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