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IPDiA

IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看935131424347-T3N參考圖片 935131424347-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131424410-T3N IPDiA 0402 976 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424510-T3N參考圖片 935131424510-T3N IPDiA 0402 1869 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424522-T1N參考圖片 935131424522-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424522-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424533-T3N IPDiA 0402 989 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 33nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131424547-T1N IPDiA 0402 98 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
點擊查看935131424547-T3N參考圖片 935131424547-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935131424610-T3A IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0402 BV11 Al
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424610-T3N參考圖片 935131424610-T3N IPDiA 0402 1850 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 100nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C...
935131425610-T1N IPDiA 0603 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0603 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131425610-T3N參考圖片 935131425610-T3N IPDiA 1206 995 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 1206 100nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C...
點擊查看935131426610-T1N參考圖片 935131426610-T1N IPDiA 0805 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131426610-T3N IPDiA 0805 30 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131427710-T3N IPDiA 1206 1927 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 1206 1uF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C，封...
935131429733-T1N IPDiA 1812 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131429733-T3N IPDiA 1812 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935131723510-T1N IPDiA 0201 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131723510-T3N IPDiA 0201 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935131724547-T1N IPDiA 0402 80 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...

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