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IPDiA

IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
935131724547-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
點擊查看935132423510-T1N參考圖片 935132423510-T1N IPDiA 0201 200 硅電容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
點擊查看935132423510-T3N參考圖片 935132423510-T3N IPDiA 0201 硅電容器 HighTempSiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132424310-T1N參考圖片 935132424310-T1N IPDiA 0402 70 硅電容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132424310-T3N參考圖片 935132424310-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132424347-T1N參考圖片 935132424347-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132424347-T3N參考圖片 935132424347-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424410-T3N IPDiA 0402 989 硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132424510-T3N參考圖片 935132424510-T3N IPDiA 0402 963 硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132424522-T1N參考圖片 935132424522-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132424522-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HighTempSiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132424533-T3N IPDiA 0402 987 硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 33nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
935132424547-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132424547-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 47nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
點擊查看935132424610-T1N參考圖片 935132424610-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 100nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132424610-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HighTempSiliconCap 0402 100nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封...
935132425610-T3N IPDiA 1206 1803 硅電容器 HighTempSiliconCap 1206 100nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封...
點擊查看935132426610-T1N參考圖片 935132426610-T1N IPDiA 0805 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132426610-T3N IPDiA 0805 硅電容器 HighTempSiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
935132427710-T1N IPDiA 1206 165 硅電容器 HighTempSiliconCap 1uF 1206 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝...

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