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IPDiA

IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
935132427710-T3N IPDiA 1206 硅電容器 HighTempSiliconCap 1206 1uF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，封裝形...
935132429733-T1N IPDiA 1812 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132429733-T3N參考圖片 935132429733-T3N IPDiA 1812 硅電容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
點擊查看935132723510-T1N參考圖片 935132723510-T1N IPDiA 0201 190 硅電容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
點擊查看935132723510-T3N參考圖片 935132723510-T3N IPDiA 0201 硅電容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C...
935132724547-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
935132724547-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 ...
點擊查看935133423510-T1N參考圖片 935133423510-T1N IPDiA 0201 100 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250...
點擊查看935133423510-T3N參考圖片 935133423510-T3N IPDiA 0201 硅電容器 XtremeTempSiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看935133424310-T1N參考圖片 935133424310-T1N IPDiA 0402 200 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看935133424310-T3N參考圖片 935133424310-T3N IPDiA 0402 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看935133424347-T3N參考圖片 935133424347-T3N IPDiA 0402 1000 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
935133424410-T3N IPDiA 0402 1000 硅電容器 XtremeTempSiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看935133424510-T3N參考圖片 935133424510-T3N IPDiA 0402 966 硅電容器 XtremeTempSiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...
點擊查看935133424522-T1N參考圖片 935133424522-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 25...
點擊查看935133424522-T3N參考圖片 935133424522-T3N IPDiA 0402 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 25...
點擊查看935133424533-T3N參考圖片 935133424533-T3N IPDiA 0402 987 硅電容器 XtremeTempSiliconCap 0402 33nF BD 11V
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250...
935133424547-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 25...
935133424547-T3N IPDiA 0402 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 25...
點擊查看935133424610-T1N參考圖片 935133424610-T1N IPDiA 0402 硅電容器 XremeTemp SiliconCap 100nF 0402 BV11 NiAu
參數：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ...

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