Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IXGR80N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 85 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數量：30，... | ||||||
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IXGT10N170 | Ixys | TO-268AA | 76 | IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：4 V，柵極/發射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT10N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：6 V，柵極/發射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT12N120A2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數量：30，... | ||||||
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IXGT15N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.2 V，柵極/發射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT15N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT15N120CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT16N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：3.5 V，柵極/發射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT16N170A | Ixys | TO-268AA | 660 | IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：5 V，柵極/發射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT16N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，集電極—射極飽和電壓：5 V，封裝形式：TO-268-3，包裝形式：Box，安裝風格：SMD/SMT，工廠包裝數量：30，... | ||||||
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IXGT20N 60B | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT20N 60BD1 | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT20N100 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1000 V，集電極—射極飽和電壓：3 V，柵極/發射極最大電壓：+/- ... | ||||||
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IXGT20N120 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT20N120B | Ixys | TO-268-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.4 V，柵極/發射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT20N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT24N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：3.3 V，柵極/發射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT24N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 24 Amps 1200 V 5 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：5 V，柵極/發射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT24N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 48 Amps 170V 6.0 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，集電極—射極飽和電壓：6 V，封裝形式：TO-268-3，包裝形式：Tube，安裝風格：SMD/SMT，工廠包裝數量：30，... | ||||||
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IXGT24N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 48 Amps 600 V 1.7 V Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數量：30，... | ||||||
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