Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXGT24N60C | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT24N60CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT25N160 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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IXGT25N250 | Ixys | IGBT 晶體管 | |||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXGT28N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT28N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
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IXGT28N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT28N60BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT30N120B3D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 60 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.5 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式：TO-... | ||||||
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IXGT30N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXGT30N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT30N60B2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.8 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... | ||||||
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IXGT30N60B2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：1.8 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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IXGT30N60C2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... | ||||||
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IXGT30N60C2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... | ||||||
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IXGT31N60D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT32N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：3.3 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20... | ||||||
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IXGT32N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V... | ||||||
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IXGT32N60BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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IXGT32N60C | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... | ||||||
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