圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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GT50J301(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶體管 600V/150A DIS+FRD |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-... |
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GT50J325(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
73 |
IGBT 晶體管 600V/50A DIS+FRD |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-... |
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GT5G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 130A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,工廠包裝數(shù)量:3000,... |
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GT60M303(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶體管 900V/60A DIS+FRD Trench |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:900 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-... |
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GT60M323(Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 900V, 60A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,工廠包裝數(shù)量:100,... |
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GT60N321(Q) |
Toshiba |
TO-3P(LH) |
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IGBT 晶體管 IGBT 1000V 60A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/... |
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GT60N322(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶體管 IGBT 1000V 57A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1000 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:25... |
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GT8G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,工廠包裝數(shù)量:3000,... |
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GT8G132(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,工廠包裝數(shù)量:3000,... |
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GT8G133(TE12L,Q) |
Toshiba |
8-TSSOP |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,工廠包裝數(shù)量:3000,... |
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GT8G134(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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參數(shù):制造商:Toshiba,工廠包裝數(shù)量:3000,... |