| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
|---|
|
BG 3230 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT363-PO |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 DUAL N-Channel MOSFET Tetrode 5V |
|
| 參數：Infineon Technologies|卷帶（TR）|-|停產|MOSFET|2 N-通道（雙）|800MHz|24dB|5 V|25mA|1.3dB|-|... |
|
BG 3430R E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 RF MOSFET 25mA 200mW |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
|
BG 5120K E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 20mA 200mW |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
|
BG 5130R E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT363-PO |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 DUAL - N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數：Infineon Technologies|卷帶（TR）|-|停產|MOSFET|2 N-通道（雙）|800MHz|24dB|3 V|25mA|1.3dB|10... |
|
|
BG 5412K E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Single Dual Gate，晶體管極性：N-Channel，汲極/源... |
|
BG 3123R E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
BG 3130 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
|
BG 3130R E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
|
BG 3123 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
