Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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FF800R12KL4C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1200V 800A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF800R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集電極—發射極... | ||||||
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FF800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集電極—發射極... | ||||||
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FF800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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FF800R17KF6C_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 800A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 800A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF800R17KP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 800A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF900R12IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 900A | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，... | ||||||
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FF900R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
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FF900R12IP4D | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電流：900 A... | ||||||
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FF1200R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.7KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集電極—發射極... | ||||||
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FF1200R17KP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1200A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF1400R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.4KA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
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FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF150R12KE3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 1200V 150A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數量：10，... | ||||||
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FF150R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 1200V 150A DUAL | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF150R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數量：10，... | ||||||
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FF150R12KT3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... | ||||||
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FF150R12ME3G | Infineon Technologies | EconoDUAL-3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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