| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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ALD110808APCL |
Advanced Linear Devices |
16-PDIP |
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MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110808ASCL |
Advanced Linear Devices |
16-SOIC |
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MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110808PCL |
Advanced Linear Devices |
16-PDIP |
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MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110808SCL |
Advanced Linear Devices |
16-SOIC |
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MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110814PCL |
Advanced Linear Devices |
16-PDIP |
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MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110814SCL |
Advanced Linear Devices |
16-SOIC |
12 |
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD1108EPCL |
Advanced Linear Devices |
16-PDIP |
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MOSFET Quad EPAD(R) Prog |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD1108ESCL |
Advanced Linear Devices |
16-SOIC |
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MOSFET Quad EPAD(R) Prog |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110900APAL |
Advanced Linear Devices |
8-PDIP |
46 |
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110900ASAL |
Advanced Linear Devices |
8-SOIC |
22 |
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110900PAL |
Advanced Linear Devices |
8-PDIP |
4 |
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110900SAL |
Advanced Linear Devices |
8-SOIC |
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MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110902PAL |
Advanced Linear Devices |
8-PDIP |
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MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110902SAL |
Advanced Linear Devices |
8-SOIC |
40 |
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110904PAL |
Advanced Linear Devices |
8-PDIP |
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MOSFET Dual N-Channel EPAD |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110904SAL |
Advanced Linear Devices |
8-SOIC |
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MOSFET Dual N-Channel EPAD |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110908APAL |
Advanced Linear Devices |
8-PDIP |
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MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110908ASAL |
Advanced Linear Devices |
8-SOIC |
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MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110908PAL |
Advanced Linear Devices |
8-PDIP |
|
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
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ALD110908SAL |
Advanced Linear Devices |
8-SOIC |
|
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
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| 參數：制造商：Advanced Linear Devices，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：10 V，閘/... |
