Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC0901NSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 ... | ||||||
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BSC0902NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC0902NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 60 | MOSFET N-CH 30V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC0902NSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC0904NSI | Infineon Technologies | TDSON-8 | 9930 | MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：78 A，... | ||||||
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BSC0904NSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC0906NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4703 | MOSFET N-Channel MOSFET 30V 36A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：63 A，... | ||||||
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BSC0908NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4783 | MOSFET N-CH 34V 49A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：49 A，電阻汲極... | ||||||
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BSC0908NSXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC0909NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4955 | MOSFET N-CH 34V 44A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：44 A，電阻汲極... | ||||||
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BSC090N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4479 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 48A 9mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC090N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 8216 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | PG-TISON-8 | MOSFET LV POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：40 A，電阻汲極... | ||||||
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BSC091N03MSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC093N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4785 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 49A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC094N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC100N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC100N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 4970 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 4290 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC100N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON | 4558 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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