Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSP129 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 22601 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .05A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP129 L6906 | Infineon Technologies | SOT-223 | 445 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .05A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP135 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 2844 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP135 L6433 | Infineon Technologies | SOT-223 | 2229 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP135 L6906 | Infineon Technologies | SOT-223 | 974 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP149 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 34241 | MOSFET N-CH 200V 0.66A SMALL SIGNAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP149 L6906 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 4162 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 200V .14A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSP149E6327 | Infineon Technologies | SOT-223 | MOSFET N-CH 200 V 2.6 A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSV236SP L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET P-CH 20V 1.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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BSV236SPH6327XT | Infineon Technologies | SOT-363 | 2717 | MOSFET OptiMOS -P Small Signal Transistor | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：- 1... | ||||||
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BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號別名：BSS816NWL6327HTMA1 BSS816NWL6327... | ||||||
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BSS606N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSS606NH6327XT，... | ||||||
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BSS606NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSS806N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號別名：BSS806NL6327HTSA1 BSS806NL6327XT... | ||||||
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BSS806NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 1195 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：2.3 A... | ||||||
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BSS7728N H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 2260 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS7728N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.2A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS7728N L7980 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BTS110 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET N-Channel 100V TEMPFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：10 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：... | ||||||
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BTS110 E3045A | Infineon Technologies | TO-220AB SMD | MOSFET N-Channel 100V TEMPFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：10 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：... | ||||||
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