Infineon Technologies
|
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB26CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 100V 35A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB26CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-CH 85V 35A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB320N20N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1968 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：34 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IPB34CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | 190 | MOSFET N-CH 100V 27A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB35N10S3L-26 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：35 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：45 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
|
|
IPB45N06S4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：45 A，電阻汲極... | ||||||
|
IPB45N06S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：45 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB45P03P4L-11 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：- 45 A，電... | ||||||
|
|
IPB47N10S33 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：47 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 47A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB47N10SL26 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：47 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | TO-263 | 1000 | MOSFET SIPMOS PWR-TRANS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB50CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | 388 | MOSFET N-CH 100V 20A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB50R140CP | Infineon Technologies | TO-263 | 896 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 23A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB50R199CP | Infineon Technologies | TO-263 | 866 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 17A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB50R250CP | Infineon Technologies | TO-263 | 848 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 13A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
55/305 首頁 上頁 [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] 下頁 尾頁
