Infineon Technologies
|
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB80N06S4-05 | Infineon Technologies | PG-TO-263-3-2 | 750 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，... | ||||||
|
IPB80N06S4-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB80N06S4L-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB80N06S4L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB80N08S207 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N08S2L07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | 594 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80P03P4-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 80 A，... | ||||||
|
|
IPB80P03P4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：- 80 A，電... | ||||||
|
|
IPB80P03P4L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：- 80 A，電... | ||||||
|
|
IPB80P04P4-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 80 A，... | ||||||
|
|
IPB80P04P4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 80 A，... | ||||||
|
|
IPB80P04P4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：- 80 A，... | ||||||
|
|
IPB80P04P4L-06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：- 80 A，... | ||||||
|
IPB80P04P4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：- 80 A，... | ||||||
|
|
IPB80R290C3A | Infineon Technologies | 1000 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，包裝形式：Reel，零件號別名：IPB80R290C3AATMA... | ||||||
|
|
IPB90N04S4-02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：90 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB90N06S4-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：90 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB90N06S4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：90 A，電阻汲極... | ||||||
61/305 首頁 上頁 [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] 下頁 尾頁
