Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPD90R1K2C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 2069 | MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPP015N04N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP020N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：... | ||||||
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IPP023N04N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRNSTR 40V 90A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP023NE7N3 G | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 2010 | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 A... | ||||||
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IPP024N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP028N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP029N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：... | ||||||
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IPP030N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPP032N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 3,458 | MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲... | ||||||
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IPP034N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | 817 | MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP034NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 470 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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IPP037N06L3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 401 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP037N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP037N08N3 G E8181 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 80V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A... | ||||||
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 3,490 | MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A... | ||||||
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IPP039N04L G | Infineon Technologies | TO-220 | 105 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 80A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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