Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SPD06N60C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 3035 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 6.2A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD06N80C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 678 | MOSFET COOL MOS POWER TRANSISTOR | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD07N20 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200 V 7 A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD07N20 G | Infineon Technologies | TO-252 | 308 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
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SPD07N60C3 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET MOSFET N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD07N60S5 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600 V 7.3 A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD07N60S5XT | Infineon Technologies | TO-252-3 | MOSFET COOL MOS N-Ch 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：3.5 V，漏極連續(xù)電流：7.3 A，電... | ||||||
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SPD08N50C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 2748 | MOSFET COOL MOS N-CH 500V 7.6A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD08P06P G | Infineon Technologies | TO-252 | 468 | MOSFET P-CH 60V 8.8A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPD09P06PL | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 9.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPD09P06PL G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET POWER MOSFET DISCRETE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPD11N10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 12 V 30 mA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SPD15P10P G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET P-CH 100V 15A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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SPD15P10PL G | Infineon Technologies | TO-252 | 1475 | MOSFET P-CH 100V 15A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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SPD18P06P G | Infineon Technologies | TO-252 | 4790 | MOSFET P-CH 60V 18.6A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... | ||||||
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SPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD30N03S2L-07 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：2500，零件號別名：SP000443922 SPD30N03S2L07GBTMA1 ... | ||||||
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SPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD30N03S2L-10 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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