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NXP Semiconductors

圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看PHC2300 /T3參考圖片 PHC2300 /T3 NXP Semiconductors SOT-96 MOSFET TAPE-7 MOSFET
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:300 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 ...
點(diǎn)擊查看PHC2300,118參考圖片 PHC2300,118 NXP Semiconductors 8-SO MOSFET TAPE-7 MOSFET
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:+/- 300 V,閘/源擊穿電壓:+/-...
點(diǎn)擊查看PHD108NQ03LT,118參考圖片 PHD108NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,漏極連續(xù)電流:75 A,電阻汲極/源極 RD...
點(diǎn)擊查看PHD110NQ03LT,118參考圖片 PHD110NQ03LT,118 NXP Semiconductors DPAK MOSFET TRENCH<=30
參數(shù):制造商:NXP,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,漏極連續(xù)電流:75 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.9 mOhms,配置:...
點(diǎn)擊查看PHD101NQ03LT,118參考圖片 PHD101NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:75 A,電阻汲極/源極 RD...
點(diǎn)擊查看PH3230S,115參考圖片 PH3230S,115 NXP Semiconductors LFPAK56,Power-SO8 MOSFET N-CH TRENCH 30V
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電...
點(diǎn)擊查看PHD22NQ20T,118參考圖片 PHD22NQ20T,118 NXP Semiconductors DPAK MOSFET RAIL PWR-MOS
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)...
點(diǎn)擊查看PHD23NQ10T,118參考圖片 PHD23NQ10T,118 NXP Semiconductors DPAK MOSFET TRENCH-100
參數(shù):制造商:NXP,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,漏極連續(xù)電流:23 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):70 mOhms,配置:...
點(diǎn)擊查看PHD3055E,118參考圖片 PHD3055E,118 NXP Semiconductors DPAK MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,漏極連續(xù)電流:10.3 A,電阻汲極/源極 ...
點(diǎn)擊查看PHD20N06T /T3參考圖片 PHD20N06T /T3 NXP Semiconductors SOT-428 MOSFET TAPE13 MOSFET
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,最大工作溫度:+ 150 C,安裝風(fēng)格:SMD/SMT,封裝形式:SOT-428,包裝形式:Reel - ...
點(diǎn)擊查看PHD20N06T,118參考圖片 PHD20N06T,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63 MOSFET TAPE13 MOSFET
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:55 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流:18...
點(diǎn)擊查看PHD16N03T,118參考圖片 PHD16N03T,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63 MOSFET TAPE13 MOSFET
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:13.1 A,電阻汲極/源極 ...
點(diǎn)擊查看PHD16N03LT,118參考圖片 PHD16N03LT,118 NXP Semiconductors DPAK MOSFET RAIL PWR-MOS
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:16 A,電阻汲極/源極 RD...
點(diǎn)擊查看PHB101NQ04T,118參考圖片 PHB101NQ04T,118 NXP Semiconductors D2PAK MOSFET N-CH TRENCH 40V
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電...
點(diǎn)擊查看PHB108NQ03LT /T3參考圖片 PHB108NQ03LT /T3 NXP Semiconductors SOT-404 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電...
點(diǎn)擊查看PHB108NQ03LT,118參考圖片 PHB108NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB MOSFET TAPE13 PWR-MOS
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電...
點(diǎn)擊查看PHB110NQ06LT,118參考圖片 PHB110NQ06LT,118 NXP Semiconductors D2PAK MOSFET N-CH TRENCH 55V
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:55 V,閘/源擊穿電壓:15 V,漏極連續(xù)電流:75...
點(diǎn)擊查看PHB110NQ08LT,118參考圖片 PHB110NQ08LT,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB MOSFET TRENCH-75
參數(shù):制造商:NXP,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:75 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:75 A,電阻汲極/源極 RDS(...
點(diǎn)擊查看PHB110NQ08T /T3參考圖片 PHB110NQ08T /T3 NXP Semiconductors SOT-404 MOSFET TRENCH-75
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:75 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電...
點(diǎn)擊查看PHB110NQ08T,118參考圖片 PHB110NQ08T,118 NXP Semiconductors D2PAK MOSFET TRENCH-75
參數(shù):制造商:NXP,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:75 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電...

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