Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI1912EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.28A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1912EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.28A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1913DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1913EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.0A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1913EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.0A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1917EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 10V 1.15A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1917EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 10V 1.15A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1926DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 35,429 | MOSFET 60V 0.37A 0.51W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1958DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1965DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1965DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1967DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 23,998 | MOSFET 20V 1.3A 1.25W 490mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.3A DUAL P-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：1.3 A，電阻... | ||||||
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SI1970DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI1972DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1988DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2300DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 3.6A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：3.6 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.... | ||||||
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SI2301ADS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 20V 2.0A 0.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301ADS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 20V 2.0A 0.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI2301BDS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 20V 2.4A 0.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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