Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SIJ400DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 32A 69.4W 4.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SIJ400DP-GE3，... | ||||||
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SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：2.7 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SIJ800DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9400DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 2.5A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：2.5 A，電... | ||||||
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SI9407AEY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.5 A，電... | ||||||
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SI9407AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9407AEY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9407AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9407AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3.0W 120mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9407BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 6,132 | MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 35,282 | MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9410BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.1A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9410BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9410BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.1A 2.5W 24mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9420DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 1A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻... | ||||||
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SI9422DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 1.7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.7 A，... | ||||||
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SI9424BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 0.025Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 9 V，漏極連... | ||||||
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SI9424BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 9 V，漏極連... | ||||||
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SI9428DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：6 A，電阻汲極... | ||||||
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SI9430DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5.8A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.8 A，電... | ||||||
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