Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI9433BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 6.2A 2.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI9433BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 20,331 | MOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9433BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 974 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9433DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5.4A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：5.4 A，電... | ||||||
|
SI9434BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.3A 2.5W 40mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI9434BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.3A 2.5W 40mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI9434DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.4A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：6.4 A，電阻... | ||||||
|
|
SI9435BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 5.7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9435BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 14,900 | MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 2,490 | MOSFET 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9436DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.8A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.7 A，電... | ||||||
|
|
SI9529DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V/12V 6/5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V, 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI8465DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | 90 | MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 3.8 A，電阻... | ||||||
|
|
SI8466EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：0.7 V，漏極連續電流... | ||||||
|
|
SI8467DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：- 1.5 V，漏... | ||||||
|
SI8469DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極... | ||||||
|
SI8472DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 11,410 | MOSFET 20V 4.5A 1.8W 44mOhms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI8473EDB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 7.1A 2.7W 41mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI8475EDB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI8475EDB-E1，... | ||||||
|
SI8483DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，... | ||||||
123/219 首頁 上頁 [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] 下頁 尾頁
