Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI8487DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET -30V 31mOhm@10V 7.7A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
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SI8489EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 3,000 | MOSFET -20V 44mOhm@10V 5.4A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
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SI8497DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-microfoot | MOSFET -30V 53mOhm@4.5V 13A P-Ch G-III | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續... | ||||||
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SI8499DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-UFBGA | 4,805 | MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續電流：- 7.8 A，電... | ||||||
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SI8800EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20Volt N-Channel Micro Foot-4 | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：2.8 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SI8802DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | 285 | MOSFET 8V N-CH Micro Foot | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：3... | ||||||
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SI8805EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 8V P-CH Micro Foot | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI8806DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA | MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：... | ||||||
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SI8808DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 1,617 | MOSFET 30V 2.5A 0.9W 0.095ohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：... | ||||||
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SI8809EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 3,000 | MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電流：... | ||||||
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA | 10 | MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續電... | ||||||
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SI8461DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 3.7 A，電阻... | ||||||
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SI8451DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-UFBGA | MOSFET 20V 10.8A 13W 80mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI8445DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 9.8A 11.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI8447DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | 15 | MOSFET 20V 11A 13W 75mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SI8441DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET 80mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI5853CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5853DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5853DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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