Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI5853DDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5855CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5855DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5856DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5857DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5857DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5858DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5858DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5902BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 2,183 | MOSFET 30V 4.0A 3.12W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 754 | MOSFET 30V 4.0A 3.12W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5902DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 3.9A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5902DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 3.9A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5903DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 2.9A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5903DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 2.9A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5904DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 4.2A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5904DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.2A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5905BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.0A 3.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI5905DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 8V 4.1A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI5905DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8V 4.1A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI5906DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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