Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI5908DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 3,598 | MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5913DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5915BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.0A 3.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI5915DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.6A 2.1W 70mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI5920DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.0A 3.12W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI5933CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.7A 2.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5933DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5933DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5935CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 100mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4A 3.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5935DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET DUAL P-CH 1.8V (G-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5938DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5938DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-8 ChipFET Dual | MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5943DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET DUAL P-CH 12V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5943DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 12V 6.0A 8.3W 64mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5944DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 40V 6.0A 10W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5944DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5947DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5947DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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