Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI5406DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 9.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI5406DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 9.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI5406DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 9.5A 2.5W 20mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI5410DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI5414DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 6.0A 6.3W 17mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI5414DC-GE3，... | ||||||
|
|
SI5418DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | 2,775 | MOSFET 30V 12A 31W 14.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI5419DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | 25,080 | MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
SI5424DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.0A 6.25W 24mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
|
SI5424DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | 9,000 | MOSFET 30V 6.0A 6.25W 24mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
SI5429DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK ChipFET | 2995 | MOSFET -30V 15mOhm@10V 12A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：- 2.2 V，漏... | ||||||
|
SI5432DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 6.0A 6.3W 20mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI5433BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 6.7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI5433BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 6.7A 2.5W 37mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI5433DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 6.7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI5433DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 6.7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI5435BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30 Volt 5.9 Amp 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI5435BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI5435DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 5.6A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI5435DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 5.6A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI5440DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.0A 6.3W 19mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
128/219 首頁 上頁 [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] 下頁 尾頁
