Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI5458DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 30V 6.0A 10.4W 51mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：6 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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SI5459DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | 3,788 | MOSFET 20V 8.0A 10.9W 52mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SI5459DU-GE3，... | ||||||
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SI5461EDC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 6.2A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5461EDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5461EDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5463EDC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 5.1A 2.3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5463EDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 5.1A 2.3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5463EDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 5.1A 2.3W 62mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5465EDC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5465EDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5468DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | 3,000 | MOSFET 30V 6.0A 5.7W 28mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5471DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET -20V 20mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SI5473DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5473DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5475BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 6.0A 6.3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5475BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 6.0A 6.3W 28mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5475DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 7.6A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5475DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 7.6A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5475DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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