Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI5476DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5476DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | 9,664 | MOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5479DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-8 ChipFET Single | MOSFET 12V 16.9A 7.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5479DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 12V 16.9A 17.8W 21mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5480DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 30V 12A 31W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5480DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 30V 12A 31W 16mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5481DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 17.8W 22mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5481DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 17.8W 22mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5482DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 30V 12A 31W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5482DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 30V 12A 31W 15mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5484DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 31W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5484DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 31W 16mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5485DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5485DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5486DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 31W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5486DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 單 | MOSFET 20V 12A 31W 15mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5499DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI5499DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 8.0V 6.0A 6.2W 36mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續... | ||||||
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SI5504BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 18,077 | MOSFET 30V 4.0/3.7A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI5504DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 3.9/2.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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