Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI8401DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8401DB-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8422DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | MOSFET 20V 7.3A 2.77W | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：7.3 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SI8435DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 10A 6.25W 41mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI8439DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET -8V 9.2A 2.7W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：- 0.8 V，漏極... | ||||||
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SI8424CDB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA，WLCSP | MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：0.8 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI8424DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI8425DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-WLCSP（1.6x1.6） | MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：- 0.9 V，漏... | ||||||
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SI8429DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | 32,055 | MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極... | ||||||
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SI8413DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8415DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 12V 7.3A 2.77W 37mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI8416DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-UFBGA | 10,112 | MOSFET 8V 16A 13W 23mOhms @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：0.8 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SI8417DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET 12V 14.5A 6.57W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI8419DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-4 | MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極... | ||||||
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SI7100DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI7100DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI7102DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A 52W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7102DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7104DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7104DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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