Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7214DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) HIGH EFFICIENCY | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7214DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7216DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7216DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 40V 32mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7218DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 30V 24A 23W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7218DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7220DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7220DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 4,998 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 60mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7222DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 40V 6.0/5.7A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7222DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 40V 6.0A 17.8W 42mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7224DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 30V 6.0A 17.8/23W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V, +... | ||||||
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SI7224DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET Dual Asym N-Ch 30V 35/28mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V, +... | ||||||
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SI7228DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7230DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7230DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7232DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 25A 23W 16.4mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7234DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | 19,099 | MOSFET 12V 60A 46W 3.4mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7236DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 20V 60A 46W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7236DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7252DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電... | ||||||
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