Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7272DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 25A 22W 9.3mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7288DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | 138,791 | MOSFET 40V 20A DUAL N-CH MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，漏極連續(xù)電流：20 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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SI7308DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3,000 | MOSFET 60V 6.0A 19.8W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7308DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 6.0A 19.8W 58mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7309DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,348 | MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7309DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7322DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,932 | MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7322DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7326DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 10A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7326DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,165 | MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SI7328DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 52W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7328DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7336ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 24,778 | MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 82,150 | MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7336DP-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 30A 5.4W 3.25mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SI7342DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 15A 5.0W 8.25mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7344DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 17A 4.1W 8.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7356ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7356ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7358ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 23A 5.4W 4.2mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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