Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7358ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 23A 5.4W 4.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7366DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7366DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7368DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 1.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7368DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 5.0W 5.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7370ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數量：3000，零件號別名：SI7370ADP-GE3，... | ||||||
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SI7370DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 15.8A 0.011Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7370DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 15.8A 5.2W 11mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7374DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7374DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7380ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7380ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7382DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7382DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7384DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7384DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7386DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,096 | MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7386DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 32,978 | MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7388DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7388DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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