Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7390DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15A 1.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7390DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15A 5.0W 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7392ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 30A 27.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7392ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 30A 27.5W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7392DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 15A 1.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7392DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15A 1.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7392DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 15A 5.0W 9.75mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7401DN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 11A 3.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7401DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 11A 3.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7402DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 20A 3.8W 5.7mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7402DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 20A 3.8W 5.7mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7403BDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 8.0A 9.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7403BDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 8.0A 9.6W 74mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7403DN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 4.5A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.9 A，電阻... | ||||||
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SI7404DN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30V 13.3A 3.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7404DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 13.3A 3.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7404DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 13.3A 3.8W 13mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7405BDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7405BDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7405DN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 12V 13A 3.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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