Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7844DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 10A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7844DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 10A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual N-Ch PWM Opt. 30V 22mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI7846DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 150V 6.7A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
SI7846DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 6.7A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7846DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 6.7A 5.2W 50mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 45,647 | MOSFET 40V 47A 36W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 975 | MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7848DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 17A 5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7848DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 17A 5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7850DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 60V 10.3A 4.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7850DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 10.3A 4.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7850DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7852ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7852ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7852DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 80V 12.5A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7852DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 12.5A 5.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7852DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 12.5A 5.2W 16.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7856ADP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 25A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI7856ADP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
150/219 首頁 上頁 [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] 下頁 尾頁
