Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SUB75N04-05L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N05-06 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 50V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N05-06-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 50V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N05-07 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 55V 75A 158W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N05-07-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 55V 75A 158W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N06-06 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SUB75N06-07L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N06-07L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N06-08 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N06-08-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N06-12L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 142W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N06-12L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 75A 142W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N08-09L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 75V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N08-09L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 75V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N08-10 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 75V 75A 187W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75N08-10-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 75V 75A 187W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75P03-07 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 187W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75P03-07-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263（D2Pak） | MOSFET 30V 75A 187W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75P03-08 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUB75P03-08-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 250W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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