Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIR770DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.01... | ||||||
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SiR774DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR788DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.5 V，漏極連續電... | ||||||
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SiR798DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR800DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：50 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIR802DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR804DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：60 A，電... | ||||||
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SIR808DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR812DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：60 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SiR818DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR826DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 17,846 | MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR838DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 35A 96W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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SIR840DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SIR840DP-GE3，... | ||||||
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SIR844DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續電流：60 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIR846DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR850DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR864DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 v，漏極連續電流：40 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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