Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.2 V，漏極連續電... | ||||||
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SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：2.4 V，漏極連續電... | ||||||
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SIS330DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIS332DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIS334DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 20 Amps 50 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIS376DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIS402DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 5.2W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS406DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 16,778 | MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
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SIS407DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 61,610 | MOSFET 20V 25A P-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續電流：- 25 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）... | ||||||
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SIS410DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 22,173 | MOSFET 20V 35A 5.2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 136,765 | MOSFET 30V 12A 15.6W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS414DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：20 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIS424DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 35A 39W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS426DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 35A 52W 4.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS430DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 25V 35A 52W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS434DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SIS434DN-GE3，... | ||||||
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SIS436DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS438DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 71,108 | MOSFET 20V 16A 27.7W 9.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIS448DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：35 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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