Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRL630STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 6,208 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 1,265 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 391 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL640STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLD014 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLD024 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLD110 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLD120 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI520G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI520GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI530G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI530GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 2,941 | MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI540G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 17 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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