Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRLR014TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR014TRLPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR014TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 2,780 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR024 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR024PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 8,470 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR024TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR024TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR024TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 9,124 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR110 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 13,577 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 11,294 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 2,780 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR120TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 3,663 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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