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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
IRF634NSTRLPBF Vishay/Siliconix D2PAK MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
IRF634NSTRRPBF Vishay/Siliconix D2PAK MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF634PBF參考圖片 IRF634PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 6,869 MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF634S參考圖片 IRF634S Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF634SPBF參考圖片 IRF634SPBF Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF634STRLPBF參考圖片 IRF634STRLPBF Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF634STRRPBF參考圖片 IRF634STRRPBF Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640參考圖片 IRF640 Vishay/Siliconix TO-220 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640LPBF參考圖片 IRF640LPBF Vishay/Siliconix TO-262-3 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640PBF參考圖片 IRF640PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 2,248 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640S參考圖片 IRF640S Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640SPBF參考圖片 IRF640SPBF Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) 2,416 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640STRL參考圖片 IRF640STRL Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640STRLPBF參考圖片 IRF640STRLPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 800 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640STRR參考圖片 IRF640STRR Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF640STRRPBF參考圖片 IRF640STRRPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 823 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF644參考圖片 IRF644 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
IRF644LPBF Vishay/Siliconix TO-220AB MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRF644N參考圖片 IRF644N Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
IRF644NL Vishay/Siliconix TO-262 MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...

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