Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFI744GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：450 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI820G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 2.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI820GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 500V 2.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI830G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI830GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 980 | MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI840G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 500V 4.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI840GLC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI840GLCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 730 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI840GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 917 | MOSFET N-Chan 500V 4.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI9520G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 100V 5.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9520GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 364 | MOSFET P-Chan 100V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9530G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9530GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 4,277 | MOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9540G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 100V 11 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9540GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 552 | MOSFET P-Chan 100V 11 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9610G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9610GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 5,139 | MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9630G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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