Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI6866DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6866DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6874EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6874EDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6875DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.4A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI6875DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.4A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI6880AEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8/4.7A 1.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI6913DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI6913DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 6,500 | MOSFET 12V 5.8A 1.14W 21mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI6923DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.5A 1.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6923DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.5A 1.2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6924AEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET H 2.5V (G-S) BATTERY SWITCH | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：28 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6924AEDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 28V 4.6A 1.3W 33mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：28 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6924EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 28V | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：28 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極連續電流：4.6 A，電... | ||||||
|
|
SI6925ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 3.9A 0.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
SI6925ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 3.9A 1.13W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
|
|
SI6925DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.4A | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：3.4 A，電... | ||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 29,763 | MOSFET DUAL N-CH 2.5V (G-S) | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
SI6926ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 18,482 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI6926AEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5A 0.83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 14 V，漏極... | ||||||
36/219 首頁 上頁 [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] 下頁 尾頁
