Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI6955ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 2.9A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6955ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 2.9A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6955ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 2.9A 1.14W 80mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6955DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 2.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6955DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 2.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6956DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 2.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6963BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 3.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6963BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6963DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6963DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6965DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6965DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6966DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6966DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6966DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.5A 1.14W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6966EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6966EDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.5A 1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6966EDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6967DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 8V 5A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI6967DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 8V 5A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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