Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI6967DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 8.0V 5.0A 1.1W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SI6968ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.2A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.2A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968BEDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968BEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 1,714 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 38,400 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6968EDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6969BDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 4.6A 0.83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6969BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 0.83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6969BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6969DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 4.6A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6969DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6969DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 1.1W 34mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6973DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.8A 4.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6973DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.8A 4.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6973DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.8A 1.14W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6975DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 5.1A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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