Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI6975DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 5.1A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6975DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6981DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6981DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.8A 1.14W 31mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6983DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET DUAL P-CH 2.5V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6983DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 5.4A 1.14W 24mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6991DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4.2A 0.83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6991DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6993DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 4.7A 0.83W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6993DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 4.7A 1.14W 31mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4845DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 20V 2.7A 2.75W 210mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4848DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 150V 3.7A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.7 A，... | ||||||
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SI4848DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 150V 3.7A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4848DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 150V 3.7A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4848DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 150V 3.7A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4848DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 5,746 | MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4850EY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 8.5A 3.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：6 A，電阻汲... | ||||||
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SI4850EY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 8.5A 3.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：6 A，電阻汲... | ||||||
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SI4850EY-T1 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 60V 8.5A 1.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 1,616 | MOSFET 60 Volt 8.5 Amp 3.3W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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