Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4948EY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4948EY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4948EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4948EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4949EY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60/30V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V, 30 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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SI4952DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 25V 8.0A 2.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4952DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4953ADY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4953ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4953ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.7 A，電... | ||||||
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SI4953ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4953ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 3.9A 2.0W 53mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4953DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：4.9 A，電... | ||||||
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SI4953DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 4.9 Amp 2.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4955DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/20V 5.0/7.0A 5.4/2.7mohm@10/4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V, 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4963BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 7,822 | MOSFET 20V 6.2A 2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4963DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4963DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：6.2 A，電... | ||||||
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SI4963DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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