Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3430DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3433BDV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 5.6A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 4.3A 2W 17 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 1 | MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 4.3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3433DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 37 | MOSFET 20V 4.3A 2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3434DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 6.1A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3434DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 6.1A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3434DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.1A 2.0W 34mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3435DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 4.8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3435DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 4.8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3435DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3437DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 2,021 | MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3437DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 17,489 | MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3438DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 3,001 | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3438DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 18,691 | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3440DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 150V 1.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 954 | MOSFET 150V 1.5A 2.0W 375mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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