Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3455ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 3.5A 2.0W 100mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI3455DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3455DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 5.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 7.8A 3.3W 34mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 7.8A 3.3W 34mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456DDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 2,970 | MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456DDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 151,090 | MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 5.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3456DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 5.1A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3457BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3457BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3457CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 11,715 | MOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 32,695 | MOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3457DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3457DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3458BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 6,000 | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 19,975 | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI3458DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 60V 3.2A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
83/219 首頁 上頁 [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] 下頁 尾頁
