Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI1026X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1025X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1025X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1025X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 99,130 | MOSFET 60V 500mA 280mW 4.0ohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1024X-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-563-6 | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1024X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1024X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 160,202 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1023X-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-563-6 | MOSFET 20V 0.35A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1023X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.35A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1023X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 160 | MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1022R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 60V 0.33A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1022R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 60V 0.33A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1022R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 2,505 | MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1021R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 60V 0.19A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1021R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 60V 0.19A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1021R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 59,494 | MOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI1013R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 20V 0.35A 0.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1013R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.35A 0.15W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1013R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 130,641 | MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SI1013X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.35A 0.25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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