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CEL

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California Eastern Laboratories (CEL) is the exclusive sales and marketing partner in North America and Latin America for products made by the Compound Semiconductor Devices Business Division (CSDBD) of Renesas Electronics Corporation, formerly NEC Electronics Corporation. These products include RF components and RFICs, optocouplers, solid state relays, and lasers and detectors for fiber optics. CEL maintains extensive inventories, sets pricing, and provides engineering and applications support at its design center in Santa Clara, CA. CEL also develops its MeshConnect™ line of IEEE 802.15.4/ZigBee radio modules and transceiver ICs and is a member of the ZigBee Alliance (www.zigbee.org)
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
NESG2021M05 CEL M05 射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2021M05-A
參數:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,工廠包裝數量:50,...
點擊查看NESG2021M05-A參考圖片 NESG2021M05-A CEL SOT-343 309 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
點擊查看NESG2021M05-EVNF58參考圖片 NESG2021M05-EVNF58 CEL SOT-343 射頻硅鍺晶體管 For NESG2021M05-A Noise Fig at 5.8 GHz
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
NESG2021M05-T1-A CEL M05 134 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,包裝形式:Reel,最大工作溫度:+...
NESG2021M16 CEL M16 射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2021M16-A
參數:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M16,工廠包裝數量:50,...
點擊查看NESG2021M16-A參考圖片 NESG2021M16-A CEL SOT-343 296 射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
NESG2021M16-T3-A CEL M16 射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M16,包裝形式:Reel,工廠包裝數量:1...
NESG2030M04 CEL SOT-343 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:80 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:SOT-343,...
點擊查看NESG2030M04-A參考圖片 NESG2030M04-A CEL M04 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.2 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:80 mW,安裝風格:...
NESG2030M04-EVNF16 CEL 射頻硅鍺晶體管 For NESG2030M04 1.6G
參數:制造商:CEL,RoHS:否,包裝形式:Box,...
點擊查看NESG2030M04-T2-A參考圖片 NESG2030M04-T2-A CEL M04 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:80 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:SOT-343,包裝形式:Reel,工廠包裝數...
NESG2030M16 CEL M16 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M16,工廠包裝數量:500,...
點擊查看NESG2031M05-A參考圖片 NESG2031M05-A CEL SOT-343 250 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
點擊查看NESG2031M05-EVNF58參考圖片 NESG2031M05-EVNF58 CEL SOT-343 射頻硅鍺晶體管 For NESF2031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
點擊查看NESG2031M05-T1-A參考圖片 NESG2031M05-T1-A CEL SOT-343 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:SOT-343,包裝形式:Reel,最大工作...
NESG2031M16 CEL M16 射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2031M16-A
參數:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M16,工廠包裝數量:50,...
點擊查看NESG2031M16-A參考圖片 NESG2031M16-A CEL SOT-343 143 射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
NESG2031M16-T3-A CEL M16 射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M16,包裝形式:Reel,工廠包裝數量:1...
點擊查看NESG204619-A參考圖片 NESG204619-A CEL 55 射頻硅鍺晶體管 NPN Amp/Oscillator
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:40 mA,功率耗散:200 mW,安裝風格...
NESG204619-T1-A CEL 射頻硅鍺晶體管 NPN Amp/Oscillator
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:175 mW,包裝形式:Reel,工廠包裝數量:3000,...

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