| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NESG2046M33-A |
CEL |
3 針 SuperMiniMold（M33） |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：40 mA，功率耗散：130 mW，安裝風格... |
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NESG2046M33-T3-A |
CEL |
3 針 SuperMiniMold（M33） |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tape，... |
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NESG2101M05 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，工廠包裝數(shù)量：50，... |
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NESG2101M05-A |
CEL |
M05 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2101M05-EVPW24 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG2101M05-A Power at 2.4 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，... |
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NESG2101M05-EVPW24-A |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，... |
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NESG2101M05-T1 |
CEL |
M05 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：130 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M05，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，... |
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NESG2101M05-T1-A |
CEL |
SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：0.5 W，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-343，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)... |
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NESG2101M16 |
CEL |
M16 |
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射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2101M16-A |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：130 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，工廠包裝數(shù)量：50，... |
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NESG2101M16-A |
CEL |
SOT-343 |
120 |
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：35 mA，功率耗散：175 mW，安裝風格... |
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NESG2101M16-T3-A |
CEL |
M16 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：190 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M16，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1... |
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NESG210719-A |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Amp/Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：100 mA，功率耗散：200 mW，安裝風... |
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NESG210719-T1-A |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Amp/Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：0.2 W，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，... |
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NESG2107M33-A |
CEL |
3 針 SuperMiniMold（M33） |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Amp/Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V，集電極連續(xù)電流：100 mA，功率耗散：130 mW，安裝風... |
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NESG2107M33-T3-A |
CEL |
3 針 SuperMiniMold（M33） |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Amp/Oscillator |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：130 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M33，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1... |
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NESG250134-AZ |
CEL |
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164 |
射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：2.8 V，集電極連續(xù)電流：500 mA，功率耗散：1.5 W，安裝風格... |
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NESG250134-EV09 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 For NESG250134-AZ at 900 MHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，... |
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NESG250134-EV09-AZ |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，... |
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NESG250134-EVPW04 |
CEL |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：否，包裝形式：Box，... |
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NESG250134-T1-AZ |
CEL |
3-PowerMiniMold |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：2.8 V，集電極連續(xù)電流：500 mA，功率耗散：1.5 W，安裝風格... |
