| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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BFR 740L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
TSLP |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：160 mW，封裝形式：TSLP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，... |
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BFR 750L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFR750L3，工廠包裝數量：1，零件號別名：BFR750L3RH... |
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BFR 705L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
PG-TSLP-3 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：40 mW，封裝形式：TSLP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，最... |
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BFP 620 E7764 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 NPN 2.3 V 80 mA |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，功率耗散：185 mW，安裝風格：SMD/SMT，... |
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BFP 620 H7764 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP620，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP620H77... |
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BFP 620F E7764 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：0.08 A，功率耗散：185 m... |
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BFP 620F H7764 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP620，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP620FH7... |
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BFP 640 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：50 mA，功率耗散：200 mW... |
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BFP 640 H6327 |
Infineon Technologies |
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2000 |
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP640H63... |
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BFP 640 H6433 |
Infineon Technologies |
PG-SOT343-3D |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數量：10000，零件號別名：BFP640H6433XT，... |
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BFP 640ESD E6327 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans |
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| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP640ESDE6327XT，... |
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BFP 640ESD H6327 |
Infineon Technologies |
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311 |
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，零件號別名：BFP640ESDH6327XT BFP640ESDH6327XTS... |
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BFP 640F E6327 |
Infineon Technologies |
TSFP |
3 |
射頻硅鍺晶體管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：0.05 A，功率耗散：200 m... |
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BFP 640F H6327 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP640FH6... |
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BFP 640FESD E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP640FESDE6327XT，... |
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BFP 640FESD H6327 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 RF BI |
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| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，零件號別名：BFP640FESDH6327XT BFP640FESDH6327X... |
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BFP 650 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 4V 0.15A NPN 4V 0.15A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：0.15 A，功率耗散：500 m... |
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BFP 650 H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：150 mA，功率耗散：500 m... |
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BFP 650F E6327 |
Infineon Technologies |
4-TSFP |
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射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：500 mW，封裝形式：TSFP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，... |
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BFP 650F H6327 |
Infineon Technologies |
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射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP650，零件號別名：BFP650FH6327XT BFP650... |
